000 00293nam a2200121Ia 4500
008 191201s1982 xx 000 0 und d
100 _aRYSSEL,H
245 0 _aIon Implantation Techniques
260 _aNew York
_bSpringer, India
_c1982
300 _a372
650 _aB.Tech(ECE)
942 _2ddc
_cBK
999 _c658
_d658